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本申請涉及rram（?resistive?random-access?memory，阻變隨機存取存儲器，也稱為憶阻器）測試，尤其涉及一種rram的測試方法、裝置及系統(tǒng)。、現(xiàn)有技術(shù)的憶阻器是一種具有?“記憶”?功能的電阻器件，其阻值會隨通過的電流大小和方向發(fā)生改變，且斷電后阻值保持不變。這一...

本發(fā)明涉及一種用于信號的高速采樣的跟蹤及保持電路。、時變信號的采樣通常使用帶有電容器的時鐘開關(guān)來執(zhí)行，以在開關(guān)關(guān)閉時保持信號。換句話說，當開關(guān)閉合時，時鐘開關(guān)的輸出會跟蹤輸入，而當開關(guān)斷開時，輸入的最后一個值被保持在電容器上。在一些無線電架構(gòu)中，對帶限信號進行子采樣比對下混(down-mi...

本公開涉及集成電路，更具體地涉及一種基于憶阻器陣列的帶符號權(quán)重映射方法及裝置。、卷積神經(jīng)網(wǎng)絡因其強大的視覺處理能力，已廣泛應用于各類視覺任務中。然而，其密集的計算需求對處理器的算力和能效提出了嚴峻挑戰(zhàn)。在當前的馮·諾依曼架構(gòu)下，處理單元與存儲單元之間的頻繁數(shù)據(jù)搬運成為了制約處理器算力和能效...

本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤，特別涉及降低固態(tài)硬盤異常掉電恢復時間的方法、裝置及相關(guān)組件。、隨著存儲技術(shù)的不斷發(fā)展，qlc(quad-levelcell)nand閃存作為一種高密度存儲解決方案，逐漸在固態(tài)硬盤(ssd)領域得到廣泛應用。qlc?nand單元通過存儲四個不同級別的電荷量來表示四個不同的...

本公開實施例涉及半導體，特別涉及一種半導體結(jié)構(gòu)。、為節(jié)省芯片面積，包含存儲器單元陣列的存儲器芯片和具有包含感測放大器及字線驅(qū)動器的邏輯電路的邏輯芯片分別被制造在兩個不同的晶片上，采用直接混合鍵合工藝(hybrid?bonding)將兩個不同的晶片進行混合接合。根據(jù)此方法，存儲器單元陣列和邏...

本發(fā)明涉及存儲芯片電路，具體為一種靈敏放大器。、快閃存儲器(f?l?ash?memory)由于具有非易失性，抗震和低功耗的特點，已經(jīng)被廣泛使用，顯然，快速存取和低功耗是對快閃存儲器的關(guān)鍵要求。特別是隨著便攜式電子設備市場需求的不斷增加，例如掌上電腦，手機等，為了降低便攜式設備功耗，系統(tǒng)工作...

本申請涉及半導體，特別是涉及一種相變存儲器陣列的仿真驗證方法及系統(tǒng)。、隨著半導體制造技術(shù)的發(fā)展，作為數(shù)據(jù)存儲的專用芯片，相變存儲器(phasechange?memory，pcm)的數(shù)據(jù)容量飛速增長，相變存儲器陣列的電路規(guī)模愈發(fā)龐大。、相變存儲器陣列具有如將驅(qū)動電路提供的電信號傳遞至各個獨立...

本公開實施例涉及半導體，涉及但不限于一種測試電路及存儲器。、隨著集成電路的高度集成化，現(xiàn)在掣肘集成電路產(chǎn)業(yè)的就是測試方法。因為早期集成電路的內(nèi)部模塊不多，邏輯功能單一，工藝相對簡單，在測試機上實現(xiàn)功能測試相對容易。而如今，測試成本的快速增長已經(jīng)達到生產(chǎn)商無法承受的地步。隨著對測試方法學的不...

本公開涉及半導體，尤其涉及一種熔絲陣列的廣播電路和熔絲陣列的廣播方法。、存儲器裝置可以包括存儲陣列和熔絲陣列，其中，熔絲陣列可以存儲與存儲陣列有關(guān)的修復信息或者其他操作信息，在存儲器裝置上電后，需要進行熔絲廣播，將熔絲陣列中存儲的數(shù)據(jù)通過廣播電路傳輸至存儲器裝置的各個本地寄存器中，然而，由...

本公開屬于光磁存儲，特別涉及一種全光磁記錄裝置。、全光磁反轉(zhuǎn)技術(shù)無需電流和磁場，直接利用超快激光脈沖調(diào)控自旋方向，然而，由于自旋電子全光磁記錄薄膜一般只有幾十納米厚度，導致飛秒泵浦激光大都直接透過自旋磁記錄薄膜，使得飛秒激光的能量利用率較低。技術(shù)實現(xiàn)思路、針對中的問題，本公開提出一...

本公開涉及存儲裝置及其操作方法。、存儲裝置是可記錄數(shù)據(jù)并且在必要時讀取數(shù)據(jù)的存儲器裝置。存儲裝置可包括非易失性存儲器（nvm）和易失性存儲器（vm），在非易失性存儲器（nvm）中，即使不供電，存儲的數(shù)據(jù)也不會被損壞，在易失性存儲器（vm）中，如果不供電，則存儲的數(shù)據(jù)被損壞。、同時，最近隨著...

、存儲器廣泛用于各種電子設備，諸如蜂窩電話、數(shù)字相機、個人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動計算設備、非移動計算設備和數(shù)據(jù)服務器。存儲器可以是非易失性存儲器或易失性存儲器。即使當非易失性存儲器未連接至電源(例如，電池)時，非易失性存儲器也允許存儲和保留信息。、非易失性存儲器的一個示例是磁阻式隨機...

本公開涉及半導體領域，尤其涉及一種存儲器、位線控制方法和電子設備。、隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，半導體存儲器被廣泛地應用于電子裝置中。動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲器，動態(tài)隨機存取存儲器因為存取速度快，常用來作為高速緩沖...

本公開涉及非易失性存儲，并且更具體地，涉及一種用于電阻式隨機存取存儲器(resistive?random?access?memory，rram)設備的帶隙參考電壓源以及包含這種帶隙參考電壓源的rram設備。、隨著半導體工藝節(jié)點的飛速發(fā)展，電子設備變得越來越小型化，出現(xiàn)了智能手機、諸如智能手...

本公開的實施例涉及集成電路技術(shù)，更具體地，涉及一種半導體器件和半導體器件的操作方法。、近來，隨著電子設備的小型化、低功耗、高性能、多樣化等，需要能夠在諸如計算機和便攜式通信設備的多種電子設備中存儲信息的半導體器件。半導體器件可以廣泛地分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件可以...

示例實施例總體涉及半導體集成電路，并且更具體地，涉及用于改變存儲設備的形狀因子的擴展存儲模塊、以及包括該擴展存儲模塊的存儲設備，例如固態(tài)硬盤器（ssd）設備。、某些類型的數(shù)據(jù)存儲設備可以包括一個或多個半導體存儲器設備。此類數(shù)據(jù)存儲設備的示例包括固態(tài)硬盤器（ssd）。這些類型的數(shù)據(jù)存儲設備可...

本申請是有關(guān)于一種一種用于浮點數(shù)數(shù)據(jù)存儲器內(nèi)運算的存內(nèi)運算裝置及其指數(shù)存儲運算模塊與尾數(shù)存儲運算模塊。、存儲器內(nèi)運算技術(shù)(computing-in-memory，cim)被視為解決存儲器墻(memorywall)的有效技術(shù)之一，其利用在存儲器內(nèi)的運算來減少數(shù)據(jù)搬移的次數(shù)，可以大幅提升運算速...

本申請涉及存儲檢測領域，特別是涉及一種存儲裝置檢測方法、測試主機、存儲裝置以及測試系統(tǒng)。、在存儲裝置的研發(fā)過程中，當出現(xiàn)讀寫擦操作失敗時，由于通路太長，不確定的因素過多，不能及時的定位出問題所在。如果有時僅是nand本身的問題的話，花費時間去定位其他位置是否出現(xiàn)異常就會增加時間成本。而通常...

本發(fā)明涉及錄音，具體為一種減少雜音的錄音設備。、錄音設備是用于捕捉和記錄聲音的裝置，它們廣泛應用于會議記錄、音樂制作、播客制作、有聲書錄制、采訪等多種場景。、現(xiàn)有的錄音設備為了便捷大多數(shù)都采用攜帶式的，而且現(xiàn)有的錄音設備都具有一定的減少雜音效果，但是便攜式的錄音設備往往會放在口袋，從而收音...

本發(fā)明涉及soc存儲器，尤其涉及一種評估soc中flash可靠性的測試方法。、非易失性存儲單元flash作為soc的核心數(shù)據(jù)存儲載體，其存儲的數(shù)據(jù)直接影響芯片中模擬單元的性能、系統(tǒng)配置參數(shù)的加載以及程序的正常啟動等關(guān)鍵操作。因此，flash存儲器的可靠性是整體芯片可靠性評估的基石，直接關(guān)系...