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輝光放電淀積的氫化和氟化的非晶半導(dǎo)體合金薄膜，在低成本和在高效光生伏打、半導(dǎo)體和電子器件方面，已經(jīng)得到了商業(yè)上的承認(rèn)。本申請書所采用的術(shù)語“非晶”包括全部不再是長程有序的材料或合金，盡管它們可以是短程或間程有序、甚至往往是含晶體參雜物的。P型非晶硅合金比n型或本征型合金的性能差些，因?yàn)镻型合金在價(jià)...

本發(fā)明涉及的領(lǐng)域是抽拉式配電裝置，更具體地說是帶有延伸導(dǎo)軌，延伸導(dǎo)軌能同該配電裝置一道進(jìn)出配電裝置隔離室的配電裝置。金屬封閉結(jié)構(gòu)或金屬復(fù)蓋結(jié)構(gòu)的斷路器是一個堆放在另一個上邊的，這種形式的斷路器通常是抽拉式的。抽拉式結(jié)構(gòu)的一種設(shè)計(jì)方式是將斷路器裝在一個帶有前門的隔室之內(nèi)。這個門必須能夠打開以便可以讓...

本發(fā)明有關(guān)一種電器插座器械，其類型為對電氣器件提供一個接受插頭腳的插座，插座中有導(dǎo)體，和上述插座插腳接觸。插座接線器型的電器插座器械已經(jīng)是公知的。這種插座接線器可以和電氣器件（諸如插頭接線器）連接，使電氣用具和電源連接。然而這種插座接線器有各種缺點(diǎn)。例如，因?yàn)閹щ娸d荷時(shí)，將插頭接線器反復(fù)插入和拔出...

本發(fā)明是關(guān)于用于間熱式陰極的熱絲，它難于斷裂因而非?？煽俊ｉg熱式陰極常用的普通熱絲用以下方法制造。（1）將鎢絲（或鎢為主要成分的絲）（12）以預(yù)定的間距繞制在鉬（或鉬為主要成分的合金）（11）上，如圖1a所示。（2）完成以上過程后，將上述兩種金屬絲成形為圖16所示的形式。（3）經(jīng)上述過程（2）成形...

本發(fā)明與多電子束陰極射線管之成列式電子槍有關(guān)，特別與此類電子槍組合件中，強(qiáng)化電極構(gòu)件之結(jié)構(gòu)有關(guān)。一成列式電子槍組合件之電極構(gòu)件系成串排列，用以沿隔離而共面之電子束路徑加速各電子束，并使之集焦。電子槍組合件之各電極構(gòu)件系以機(jī)械方式，乃用附屬耳片及螺檢，裝于沿電子束路徑延伸之最少一對絕緣支桿上。每一電...

本發(fā)明論及了立方晶系的半導(dǎo)體材料外延層生長的方法，外延層上的晶格常數(shù)是由相鄰于基片的晶格常數(shù)的初值緩變到生長在其上的外延層表面的晶格常數(shù)的終值。舉例來說，在基片晶體上生長的緩變延層能夠在太陽能電池，光學(xué)器件和集成電路的制造中得到應(yīng)用。在晶體中，原子呈三維空間的排列，通稱為晶格。在晶格中，以其自身在...

本發(fā)明涉及到一種雙極異質(zhì)結(jié)晶體管，包括發(fā)射極形成層，基極形成層和收集極形成層發(fā)射極和基極之間的結(jié)是異質(zhì)結(jié)。這種雙極異質(zhì)結(jié)晶體管具有很高的電流增益，也就是β因子比較大，有關(guān)情況可以從FR-A-2352404號專利文件中獲得，其中在AlGaAs（鋁-鎵-砷）和GaAs（鎵-砷）之間，用Ⅲ-Ⅴ族技術(shù)形成...

磁性實(shí)驗(yàn)夾屬于實(shí)驗(yàn)室設(shè)備中的夾持器具。目前實(shí)驗(yàn)室使用的實(shí)驗(yàn)夾一般均為鐵夾，它是使用螺絲把鐵夾固定在鐵架臺的鐵桿上的，這種實(shí)驗(yàn)夾在鐵桿上移動位置時(shí)，必須先松動螺絲，移至所需位置。再擰緊固定，不僅麻煩，而且易于生銹，使用時(shí)間長了螺紋磨損，容易滑動，同時(shí)還損傷鐵桿。本實(shí)用新型提供的磁性實(shí)驗(yàn)夾改交了原鐵夾...

?本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)的弧焊變壓器，它用內(nèi)磁控制鐵心的磁化程度調(diào)節(jié)焊接規(guī)范，適用單相、三相電路?，F(xiàn)有的弧焊變壓器如動鐵分磁式、同體式，它們具有調(diào)節(jié)容易，材料比較節(jié)省的恃點(diǎn)，但它們也存在以下一些問題：它們都有一個動鐵心，靠調(diào)節(jié)動鐵心來調(diào)節(jié)焊接規(guī)范，因此存在著交變磁力引起的振動，焊接規(guī)范波動的問題。...

具有埋置接點(diǎn)的集成電路制造工藝本發(fā)明涉及集成電路制造工藝。本發(fā)明特別是涉及金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）集成電路制造工藝。本發(fā)明特別是涉及互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）集成電路制造工藝。本發(fā)明特別是涉及具有200?；蚋〉臇叛趸瘜雍穸鹊慕饘傺趸锇雽?dǎo)體（MOS）集成電路。當(dāng)集成電路逐漸地按比例縮到...

本發(fā)明涉及到半導(dǎo)體集成電路器件（IC），特別是涉及適用于門陣列中做為一種半常規(guī)集成電路的技術(shù)。門陣列包括的，例如有：輸入-輸出緩沖器部分和內(nèi)部電路部分以及在內(nèi)電路部分里面形成許多單元。每個微單元內(nèi)又包括許多門。按照該類型的半導(dǎo)體集成電路器件，由于可以把連線分別連到大量的主片上去，因此有可能將門陣列...

本發(fā)明與強(qiáng)發(fā)光顯示管有關(guān)。大型顯示裝置已計(jì)劃由大量的發(fā)光顯示管組成，這種具有發(fā)光層的的每支管是由能發(fā)出紅、綠、蘭光的三種熒光粉層構(gòu)成，以此制成大圖象熒光屏，例如，40米寬，25米高的熒光屏。如圖28和29所示，這種發(fā)光管在玻璃罩1的面板1A內(nèi)表面涂有能發(fā)出紅、綠、蘭光的三個熒光粉層2（2R，2G，...

本發(fā)明與電子槍有關(guān)，諸如用于彩色顯像管中者特別是關(guān)于一種改進(jìn)的電子槍，此電子槍有一兩件式之簾柵電極，能產(chǎn)生動態(tài)電子束形狀調(diào)變。彩色顯像管中采用數(shù)種不同型式之電子槍?，F(xiàn)今廣泛采用的一種電子槍為一種排列式電子槍。一排列式電子槍之設(shè)計(jì)系在一共同平面內(nèi)產(chǎn)生至少兩柱電子束而最好是三柱，并將各電子束沿著聚合路...

?本實(shí)用新型屬于家用電器插座，更確切地說屬于臺扇、落地扇專用插座。目前大部份臺扇、落地扇風(fēng)力太大，許多人感到很不舒服，晚上睡覺時(shí)長夜開啟還易受涼，希望電扇發(fā)出象扇子一樣的微風(fēng)。本實(shí)用新型的目的，就是臺扇、落地扇使用電扇插座后，能發(fā)出柔和舒適的微風(fēng)及延長電扇使用壽命及節(jié)省電力。本實(shí)用新型是用普通家用...

含氟的P型摻雜微晶半導(dǎo)體合金及其制造方法非晶薄膜半導(dǎo)體合金作為一種用以制造電子器件的材料，例如制造光生伏打電池、光敏器件和光電導(dǎo)器件、晶體三極管、二極管、集成電路、存儲器陣列等，已經(jīng)獲得日益增加的應(yīng)用。非晶薄膜半導(dǎo)體合金可以以較低的成本進(jìn)行制造，它具有寬范圍的可以控制的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)性質(zhì)...

圓筒式電開頭裝置本發(fā)明涉及一種圓周式電開關(guān)裝置它利用驅(qū)動裝置。通過一個連桿機(jī)構(gòu)移動主副移動式接觸元件。在這類公知的電開關(guān)裝置中，如圖1所示，檢查孔2通常設(shè)在圓筒1的圓周上，以便可以觀察安裝在圓筒1內(nèi)的主接觸器3或者副接觸器4。目前，這類開關(guān)裝置的尺寸已經(jīng)被減少。為了減少圓筒的直徑口和各圓筒之間的距...

電感元件及其制造方法本發(fā)明是關(guān)于一種電感元件及其制造方法，更確切地說，本發(fā)明是關(guān)于一種電感元件，該電感元件包括一只由導(dǎo)線直接繞在一塊電路基板上而形成的線圈，以及制造該電感元件的方法。在最近幾年中，隨著集成電路塊的改進(jìn)，電子電路不斷地趨向于混合式集成電路，一個混合式的集成電路包括一個半導(dǎo)體集成電路，...

本申請涉及一種高強(qiáng)度發(fā)射源，具體地說，涉及有關(guān)此種高強(qiáng)度發(fā)射源的冷卻以及其電極壽命方面的改進(jìn)。在1977年5月31日頒發(fā)的諾得威爾等人的第4027185號美國專利中描述了一種高強(qiáng)度發(fā)射源。（該專利的發(fā)明人之一也是本發(fā)明的發(fā)明人。）這份參考文件描述了一種產(chǎn)生高強(qiáng)度發(fā)射源的新方法和新裝置，該裝置設(shè)有能...

金屬層制版印刷術(shù)中作抗反射涂層用的無定形硅本發(fā)明涉及與半導(dǎo)體有關(guān)的在金屬層制版印刷術(shù)中用的抗反射涂層問題。先有技術(shù)：在半導(dǎo)體器件制造中，需要在器件表面形成導(dǎo)電回路。先有技術(shù)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的辦法是在半導(dǎo)體表面形成一金屬層，并用標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)掩膜技術(shù)在其上制作圖案。采用這種先有技術(shù)的問題之一是金屬膜的反射性較...

本發(fā)明涉及一種電子器件，該器件具有帶絕緣表面的一個襯底和一個層部分，這個層部分包括在該襯底上制有圖形的地方形成的導(dǎo)電層或者半導(dǎo)體層。本發(fā)明還涉及這種電子器件的制造方法。迄至今日，人們曾經(jīng)提出過各種各樣的電子器件，器件中有帶絕緣表面的一個襯底和一個層部分，這個層部分包括在襯底上制有圖形的地方形成的導(dǎo)...