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基板處理裝置的制作方法

文檔序號(hào):42293047發(fā)布日期:2025-06-27 18:27閱讀:6來源:國(guó)知局

本發(fā)明關(guān)于用于對(duì)晶片、面板等使用于半導(dǎo)體組件的基板進(jìn)行研磨和后處理的基板處理裝置,特別是關(guān)于以高度不同的階層執(zhí)行基板的研磨和后處理的基板處理裝置。


背景技術(shù):

1、在制造半導(dǎo)體組件時(shí),多種材料在晶片上反復(fù)形成為膜狀來形成層積構(gòu)造。為了形成該層積構(gòu)造,將晶片的表面形成平坦的技術(shù)很重要。作為這種將晶片的表面平坦化的一個(gè)手段,使用進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)的研磨裝置。

2、研磨裝置一般而言具備:安裝有研磨墊的研磨臺(tái);將晶片按壓于研磨臺(tái)上的研磨墊的研磨頭;及將研磨液供給至研磨墊上的噴嘴。一邊從噴嘴供給研磨液于研磨墊上,一邊通過研磨頭將晶片按壓于研磨墊,進(jìn)一步使研磨頭與研磨墊相對(duì)移動(dòng),由此研磨晶片。

3、基板處理裝置除了這種研磨裝置之外,還具有:清洗研磨后的晶片的清洗裝置;及使清洗后的晶片干燥的干燥裝置的裝置。專利文獻(xiàn)1中公開了具備多個(gè)研磨組件、清洗組件、干燥組件、將研磨后的晶片搬運(yùn)至清洗組件的搬運(yùn)機(jī)器人的基板處理裝置。對(duì)于通過研磨組件研磨后的晶片,為了防止露出其表面的金屬受到研磨液腐蝕,通過研磨組件研磨后的晶片需要盡快搬運(yùn)至清洗組件。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1:日本特開2022-043081號(hào)公報(bào)

7、發(fā)明要解決的問題

8、但是,在記載于專利文獻(xiàn)1的基板處理裝置中,多個(gè)研磨組件排列成一列,各個(gè)研磨組件將研磨后的晶片搬運(yùn)至清洗組件的時(shí)間不同。特別是以到達(dá)清洗組件的搬運(yùn)距離長(zhǎng)的研磨組件進(jìn)行研磨時(shí),將晶片搬運(yùn)至清洗組件會(huì)花費(fèi)比較長(zhǎng)的時(shí)間,而露出晶片表面的金屬會(huì)有腐蝕的擔(dān)憂。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、因此,本發(fā)明提供一種可從多個(gè)研磨組件以相同時(shí)間將基板搬運(yùn)至清洗組件的基板處理裝置。

2、(解決問題的手段)

3、一個(gè)方式提供一種基板處理裝置,具備:多個(gè)研磨組件,該多個(gè)研磨組件配置于研磨階層內(nèi),并研磨基板;后處理通路,該后處理通路配置于后處理階層內(nèi),并對(duì)研磨后的所述基板進(jìn)行包含清洗和干燥的后處理;及升降搬運(yùn)裝置,該升降搬運(yùn)裝置從所述多個(gè)研磨組件中的一個(gè)取出研磨后的所述基板,并直接搬入所述后處理通路,所述后處理階層是位于所述研磨階層之上的上層,或是位于所述研磨階層之下的下層,所述升降搬運(yùn)裝置以距所述多個(gè)研磨組件相同距離的方式配置,所述升降搬運(yùn)裝置具備:保持手,該保持手保持所述基板;及升降機(jī)構(gòu),該升降機(jī)構(gòu)使所述保持手在所述研磨階層與所述后處理階層之間升降。

4、一個(gè)方式中,所述多個(gè)研磨組件包含四個(gè)研磨組件,所述升降搬運(yùn)裝置以距所述四個(gè)研磨組件相同距離的方式配置,且被所述四個(gè)研磨組件包圍。

5、一個(gè)方式中,所述升降搬運(yùn)裝置進(jìn)一步具備翻轉(zhuǎn)裝置,該翻轉(zhuǎn)裝置使所述保持手翻轉(zhuǎn)。

6、一個(gè)方式中,所述基板處理裝置進(jìn)一步具備:基板搬運(yùn)機(jī)器人,該基板搬運(yùn)機(jī)器人從匣盒存儲(chǔ)器取出要研磨的所述基板,并從所述后處理通路取出后處理后的所述基板而送回所述匣盒存儲(chǔ)器;及上下移動(dòng)機(jī)構(gòu),該上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板搬運(yùn)機(jī)器人在所述研磨階層與所述后處理階層之間升降。

7、一個(gè)方式中,所述后處理通路是第一后處理通路,所述基板處理裝置進(jìn)一步具備第二后處理通路,該第二后處理通路配置于所述后處理階層內(nèi),所述升降搬運(yùn)裝置距所述第一后處理通路和所述第二后處理通路相同距離。

8、一個(gè)方式中,所述第一后處理通路和所述第二后處理通路分別具有排成一列的清洗組件和干燥組件。

9、一個(gè)方式中,所述第一后處理通路和所述第二后處理通路與所述基板搬運(yùn)機(jī)器人相鄰。

10、一個(gè)方式中,所述多個(gè)研磨組件分別具有:研磨頭,該研磨頭研磨基板;及基板裝載機(jī),該基板裝載機(jī)從所述升降搬運(yùn)裝置接收基板,并送交至所述研磨頭,所述升降搬運(yùn)裝置以距所述多個(gè)研磨組件的所述基板裝載機(jī)相同距離的方式配置。

11、一個(gè)方式中所述多個(gè)研磨組件包含六個(gè)研磨組件,所述升降搬運(yùn)裝置是第一升降搬運(yùn)裝置,所述第一升降搬運(yùn)裝置以距所述多個(gè)研磨組件中的至少三個(gè)研磨組件相同距離的方式配置,所述基板處理裝置進(jìn)一步具備:第二升降搬運(yùn)裝置,該第二升降搬運(yùn)裝置以距所述多個(gè)研磨組件中的剩余多個(gè)研磨組件相同距離的方式配置;第三后處理通路,該第三后處理通路配置于所述后處理階層內(nèi);及送回搬運(yùn)裝置,該送回搬運(yùn)裝置將通過所述第三后處理通路進(jìn)行后處理后的基板搬運(yùn)至所述基板搬運(yùn)機(jī)器人,所述第二升降搬運(yùn)裝置構(gòu)成為從所述剩余多個(gè)研磨組件中的一個(gè)取出研磨后的基板,并直接搬入所述第三后處理通路。

12、(發(fā)明效果)

13、采用本發(fā)明時(shí),升降搬運(yùn)裝置以距多個(gè)研磨組件相同距離的方式配置。因此,由多個(gè)研磨組件中的任意一個(gè)研磨的基板以相同搬運(yùn)時(shí)間搬運(yùn)至后處理通路。其結(jié)果是,基板處理裝置能夠?qū)ρ心ズ蟮幕逖杆賵?zhí)行后處理(包含清洗、干燥)。再者,由于對(duì)研磨后的基板進(jìn)行后處理(包含清洗、干燥)的后處理階層位于進(jìn)行基板研磨的研磨階層之上或下,因此能夠縮小基板處理裝置整體的設(shè)置面積。



技術(shù)特征:

1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,

3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,

4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,進(jìn)一步具備:

5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,

6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,

7.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,

8.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,

9.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
基板處理裝置具備:配置于研磨階層內(nèi),并研磨基板的多個(gè)研磨組件(1A~1D);配置于后處理階層內(nèi),對(duì)研磨后的基板進(jìn)行包含清洗和干燥的后處理的后處理通路(2A、2B);及從多個(gè)研磨組件(1A~1D)中的一個(gè)取出研磨后的基板,直接搬入后處理通路(2A、2B)的升降搬運(yùn)裝置(5)。后處理階層是位于研磨階層之上的上層,或是位于研磨階層之下的下層。升降搬運(yùn)裝置(5)以距多個(gè)研磨組件(1A~1D)相同距離的方式配置,升降搬運(yùn)裝置(5)具有能夠在研磨階層與后處理階層之間升降的保持手(40)。

技術(shù)研發(fā)人員:宮崎充,外崎宏,武渕健一,井上拓也,高橋正三,石井亮平
受保護(hù)的技術(shù)使用者:株式會(huì)社荏原制作所
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/26
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