本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)，尤其涉及一種載流子產(chǎn)生層、串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件及顯示面板。
背景技術(shù)：
1、串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件(tandem?oled)是一種通過將兩個(gè)oled器件疊加在一起形成的顯示技術(shù)。其工作原理基于oled的基本結(jié)構(gòu)，并通過一個(gè)載流子產(chǎn)生層(carriergeneration?layer，cgl)將兩個(gè)oled發(fā)光層串聯(lián)起來。第一個(gè)發(fā)光層中的空穴和電子復(fù)合發(fā)光后，剩余的空穴和電子穿過載流子產(chǎn)生層，在第二個(gè)發(fā)光層中再次復(fù)合發(fā)光。
2、現(xiàn)有的一種載流子產(chǎn)生層采用n型材料層和p型材料層堆疊形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件工作過程中，p型材料層產(chǎn)生的載流子分別向兩側(cè)遷移，其中電子向n型材料層遷移，并繼續(xù)向其中一個(gè)發(fā)光層遷移，在該發(fā)光層中與空穴復(fù)合發(fā)光，相應(yīng)的，空穴向另一個(gè)發(fā)光層遷移，在該發(fā)光層中與電子復(fù)合發(fā)光。
3、但是，由于n型材料層和p型材料層的lumo(最低未占分子軌道)能級(jí)不連續(xù)，n型材料層和p型材料層的界面會(huì)形成勢壘，阻礙電子的遷移，界面處累積的電子會(huì)與空穴復(fù)合，產(chǎn)生焦耳熱，導(dǎo)致能量損耗大。產(chǎn)生的焦耳熱累積會(huì)導(dǎo)致材料退化，進(jìn)而導(dǎo)致器件的使用壽命降低。此外，為了克服n型材料和p型材料的界面處勢壘，串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓(10v-12v)遠(yuǎn)高于單層有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓(4v-6v)，增加了驅(qū)動(dòng)成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明一種載流子產(chǎn)生層、串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件及顯示面板，能夠提高串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件的使用壽命，降低驅(qū)動(dòng)成本。
2、第一方面，本發(fā)明提供了一種載流子產(chǎn)生層，包括：
3、n型材料層，所述n型材料層具有第一lumo能級(jí)；
4、p型材料層，所述p型材料層具有第二lumo能級(jí)，所述第一lumo能級(jí)大于所述第二lumo能級(jí)；
5、能級(jí)緩沖層，所述能級(jí)緩沖層設(shè)置于所述n型材料層和所述p型材料層之間，且所述能級(jí)緩沖層具有第三lumo能級(jí)，所述第三lumo能級(jí)位于所述第一lumo能級(jí)和所述第二lumo能級(jí)之間。
6、可選的，所述n型材料層由電子傳輸層摻雜n型摻雜劑形成，所述p型材料層由空穴傳輸層摻雜p型摻雜劑形成。
7、可選的，所述n型摻雜劑包括堿金屬化合物，所述p型摻雜劑包括hat-cn、f4-tcnq、moo3和w2(hpp)4中的至少一種。
8、可選的，所述n型摻雜劑的摻雜比例為10％-50％，所述p型摻雜劑的摻雜比例為2％-15％。
9、可選的，所述能級(jí)緩沖層的材料包括zno、8-羥基喹啉鋰和c60中的至少一種。
10、可選的，所述能級(jí)緩沖層為三層堆疊結(jié)構(gòu)，所述三層堆疊結(jié)構(gòu)包括8-羥基喹啉鋰、zno和8-羥基喹啉鋰堆疊結(jié)構(gòu)，和8-羥基喹啉鋰、c60和8-羥基喹啉鋰堆疊結(jié)構(gòu)。
11、可選的，所述能級(jí)緩沖層的厚度范圍為2nm-10nm，所述能級(jí)緩沖層的表面粗糙度小于或等于1nm。
12、可選的，所述能級(jí)緩沖層采用蒸鍍或原子層沉積方式制備。
13、第二方面，本發(fā)明還提供了一種串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件，包括如本發(fā)明第一方面提供的載流子產(chǎn)生層，還包括：
14、第一發(fā)光層，所述第一發(fā)光層設(shè)置于所述載流子產(chǎn)生層的n型材料層遠(yuǎn)離能級(jí)緩沖層的一側(cè)；
15、第一空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層設(shè)置于所述第一發(fā)光層遠(yuǎn)離所述載流子產(chǎn)生層的一側(cè)；
16、空穴注入層，所述空穴注入層設(shè)置于所述第一空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一發(fā)光層的一側(cè)；
17、陽極，所述陽極設(shè)置于所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的一側(cè)；
18、第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層設(shè)置于所述載流子產(chǎn)生層的p型材料層遠(yuǎn)離能級(jí)緩沖層的一側(cè)；
19、第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層設(shè)置于所述第二空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述載流子產(chǎn)生層的一側(cè)；
20、電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置于所述第二發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第二空穴傳輸層的一側(cè)；
21、陰極，所述陰極設(shè)置于所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述第二發(fā)光層的一側(cè)。
22、第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括如本發(fā)明第二方面提供的串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件。
23、本發(fā)明提供的載流子產(chǎn)生層，包括n型材料層、p型材料層和能級(jí)緩沖層，n型材料層具有第一lumo能級(jí)、p型材料層具有第二lumo能級(jí)，第一lumo能級(jí)大于第二lumo能級(jí)，能級(jí)緩沖層設(shè)置于n型材料層和p型材料層之間，且能級(jí)緩沖層具有第三lumo能級(jí)，第三lumo能級(jí)位于第一lumo能級(jí)和第二lumo能級(jí)之間，形成階梯能級(jí)，緩沖了p型材料層的lumo能級(jí)和n型材料層的lumo能級(jí)的突變，降低了在電子從p型材料層向n型材料層遷移過程中的勢壘，減少了電子和空穴在p型材料層向n型材料層的界面處復(fù)合發(fā)熱，避免熱量累計(jì)導(dǎo)致串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件使用壽命降低的問題，提高了串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件的使用壽命。此外，電子從p型材料層向n型材料層遷移過程中的勢壘降低，降低了串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓，進(jìn)而降低了驅(qū)動(dòng)成本。
1.一種載流子產(chǎn)生層，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述n型材料層由電子傳輸層摻雜n型摻雜劑形成，所述p型材料層由空穴傳輸層摻雜p型摻雜劑形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述n型摻雜劑包括堿金屬化合物，所述p型摻雜劑包括hat-cn、f4-tcnq、moo3和w2(hpp)4中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述n型摻雜劑的摻雜比例為10％-50％，所述p型摻雜劑的摻雜比例為2％-15％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述能級(jí)緩沖層的材料包括zno、8-羥基喹啉鋰和c60中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述能級(jí)緩沖層為三層堆疊結(jié)構(gòu)，所述三層堆疊結(jié)構(gòu)包括8-羥基喹啉鋰、zno和8-羥基喹啉鋰堆疊結(jié)構(gòu)，和8-羥基喹啉鋰、c60和8-羥基喹啉鋰堆疊結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述能級(jí)緩沖層的厚度范圍為2nm-10nm，所述能級(jí)緩沖層的表面粗糙度小于或等于1nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述能級(jí)緩沖層采用蒸鍍或原子層沉積方式制備。
9.一種串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一所述的載流子產(chǎn)生層，還包括：
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件。