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低折射率覆蓋層、覆蓋層結(jié)構(gòu)和有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法

文檔序號(hào):42290206發(fā)布日期:2025-06-27 18:21閱讀:5來源:國(guó)知局

本申請(qǐng)涉及有機(jī)電致發(fā)光材料,具體涉及一種低折射率覆蓋層、覆蓋層結(jié)構(gòu)和有機(jī)電致發(fā)光器件。


背景技術(shù):

1、有機(jī)電激發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode,簡(jiǎn)稱為oled),也稱有機(jī)電致發(fā)光器件,因其具有薄型、在低驅(qū)動(dòng)電壓下高亮度發(fā)光、能通過選擇發(fā)光材料而進(jìn)行多色發(fā)光等優(yōu)點(diǎn),而倍受關(guān)注。自從柯達(dá)公司的c.w.tang等揭示有機(jī)薄膜元件能以高亮度發(fā)光以來,大量oled行業(yè)研究人員對(duì)于其應(yīng)用,做了很多研究和推進(jìn)。

2、目前,相關(guān)技術(shù)通過使用具有高折射率的特定結(jié)構(gòu)的胺衍生物或使用符合特定參數(shù)要求的材料作為有機(jī)覆蓋層材料,以改善有機(jī)電致發(fā)光器件的光取出效率和色純度,但是尚未解決發(fā)光效率和色純度的兼顧問題,特別是在制備藍(lán)光發(fā)光器件的情況下,該問題尤為顯著。為此,新型疊層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方案應(yīng)運(yùn)而生。根據(jù)相關(guān)技術(shù)的披露,采用折射率差異顯著的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠有效調(diào)控光傳播路徑,這不僅能夠增強(qiáng)器件的出光效率,還能優(yōu)化光譜半峰寬指標(biāo)。然而,該方案在實(shí)施過程中面臨著材料體系的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)。例如,為了實(shí)現(xiàn)低折射特性,在分子結(jié)構(gòu)中引入氟原子,在提升光學(xué)性能的同時(shí),會(huì)引發(fā)器件功能層之間的界面穩(wěn)定性和熱力學(xué)可靠性問題。

3、因此,如何確保覆蓋層的界面穩(wěn)定性與熱力學(xué)可靠性,成為當(dāng)前業(yè)界面臨的新挑戰(zhàn)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)解決的技術(shù)問題是如何在提升光學(xué)性能的同時(shí),確保覆蓋層的界面穩(wěn)定性與熱力學(xué)可靠性。

2、為解決上述技術(shù)問題,本申請(qǐng)的第一方面提供一種低折射率覆蓋層,包含如式(i)所示的化合物:在式(i)中,r1、r2、r3和r4相同或不同,且獨(dú)立地選自取代或未取代的c1~c24的烷基、取代或未取代的c3~c24的環(huán)烷基、取代或未取代的c2~c24的雜環(huán)烷基;r1、r2、r3和r4中的至少一個(gè)選自取代或未取代的c3~c24的環(huán)烷基。

3、本申請(qǐng)的第二方面提供一種覆蓋層結(jié)構(gòu),包括上述的低折射率覆蓋層和位于所述低折射率覆蓋層上的高折射率覆蓋層,且所述高折射率覆蓋層對(duì)460nm波長(zhǎng)光的折射率為1.90以上。

4、本申請(qǐng)的第三方面提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括依次堆疊的第一電極、有機(jī)層、第二電極以及上述的低折射率覆蓋層或者上述的覆蓋層結(jié)構(gòu)。

5、本申請(qǐng)的低折射率覆蓋層包含如式(i)所示的化合物,該化合物的母核中存在雜原子,其與陰極材料間能形成較強(qiáng)的抓結(jié)力,使得低折射率覆蓋層與陰極之間具有較強(qiáng)的附著力,不容易脫落。另外,該化合物的分子內(nèi)可能存在的氫鍵能夠增強(qiáng)分子間作用力,這兩種作用相互協(xié)同,使得低折射率覆蓋層與陰極材料間具有較大的剝離粘著力。同時(shí),分子間作用力得到增強(qiáng)后,也使得低折射率覆蓋層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度(tg)得到提升。

6、所述式(i)所示的化合物可以包含或不包含氟原子/含氟基團(tuán)。當(dāng)所述式(i)所示的化合物包含氟原子/含氟基團(tuán)時(shí),也不會(huì)引發(fā)現(xiàn)有含氟材料與陰極間易剝離以及tg不理想的問題。當(dāng)所述式(i)所示的化合物中不包含氟原子/含氟基團(tuán)時(shí),在解決了所述含氟材料與陰極間易剝離以及tg不理想的技術(shù)問題的基礎(chǔ)上,而且可以將成本大幅度降低且提供一個(gè)更加環(huán)保的解決方案。進(jìn)一步地,采用包含本申請(qǐng)式(i)所示化合物的低折射率覆蓋層替換包含現(xiàn)有含氟材料的低折射率覆蓋層,且與高折射率覆蓋層共同構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光器件的覆蓋層結(jié)構(gòu)時(shí),可以顯著提升器件的發(fā)光效率和色純度。

7、由此可見,本申請(qǐng)的低折射率覆蓋層能夠在提升光學(xué)性能的同時(shí),確保覆蓋層的界面穩(wěn)定性與熱力學(xué)可靠性。



技術(shù)特征:

1.一種低折射率覆蓋層,其特征在于,包含如式(i)所示的化合物:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率覆蓋層,其特征在于,r1、r2、r3和r4相同或不同,并獨(dú)立地選自取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的環(huán)烷基、取代或未取代的c2~c10的雜環(huán)烷基,且取代時(shí)的取代基獨(dú)立地選自氟原子、含氟基團(tuán)、被氟原子或含氟基團(tuán)取代或未取代的以下基團(tuán):c1~c10的烷基、被c1~c10的烷基取代的氨基、c2~c10的雜環(huán)烷基;

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低折射率覆蓋層,其特征在于,r1、r2、r3和r4相同或不同,并獨(dú)立地選自取代或未取代的c1~c5的烷基、取代或未取代的c5~c10的環(huán)烷基、取代或未取代的四氫吡喃基、取代或未取代的四氫呋喃基、取代或未取代的哌啶基,且取代時(shí)的取代基選自甲基、二乙基氨基、四氫吡喃基;

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低折射率覆蓋層,其特征在于,r1、r2、r3和r4相同或不同,且獨(dú)立地選自環(huán)戊基、環(huán)己基、雙環(huán)[2.2.1]庚烷基、雙環(huán)[2.2.2]辛烷基、螺[4.4]壬烷基、金剛烷基、四氫吡喃基、四氫呋喃基、n-甲基哌啶基、

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低折射率覆蓋層,其特征在于,所述式(i)所示的化合物選自下組:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低折射率覆蓋層,其特征在于,所述式(i)所示的化合物選自下組:

7.一種覆蓋層結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的低折射率覆蓋層和位于所述低折射率覆蓋層上的高折射率覆蓋層,且所述高折射率覆蓋層對(duì)460nm波長(zhǎng)光的折射率為1.90以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的覆蓋層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述高折射率覆蓋層包含無機(jī)化合物和/或有機(jī)化合物,其中所述無機(jī)化合物包括siox、siny、zns、znse、zro、tio2中的至少一種,且x和y獨(dú)立地選自1~4的整數(shù);所述有機(jī)化合物包括芳胺衍生物、咔唑衍生物、苯并咪唑衍生物、三唑衍生物中的至少一種;優(yōu)選地,所述有機(jī)化合物包括以下化合物中的至少一種:

9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次堆疊的第一電極、有機(jī)層、第二電極以及權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的低折射率覆蓋層或者權(quán)利要求7或8所述的覆蓋層結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機(jī)層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層;優(yōu)選地,所述有機(jī)層包括依次堆疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種低折射率覆蓋層、覆蓋層結(jié)構(gòu)和有機(jī)電致發(fā)光器件,涉及有機(jī)電致發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域,其中低折射率覆蓋層包含式(I)所示的化合物:式(I);在式(I)中,R<subgt;1</subgt;、R<subgt;2</subgt;、R<subgt;3</subgt;和R<subgt;4</subgt;相同或不同,且獨(dú)立地選自取代或未取代的C1~C24的烷基、取代或未取代的C3~C24的環(huán)烷基、取代或未取代的C2~C24的雜環(huán)烷基;R<subgt;1</subgt;、R<subgt;2</subgt;、R<subgt;3</subgt;和R<subgt;4</subgt;中的至少一個(gè)選自取代或未取代的C3~C24的環(huán)烷基。采用該低折射率覆蓋層或覆蓋層結(jié)構(gòu)制備有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí),能夠在提升光學(xué)性能的同時(shí),確保覆蓋層的界面穩(wěn)定性與熱力學(xué)可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員:王鵬,王湘成
受保護(hù)的技術(shù)使用者:上海鑰熠電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/26
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