1.一種層疊體，其是在第1元件上層疊有有機(jī)層、在所述有機(jī)層上層疊有無(wú)機(jī)層的層疊體，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，所述無(wú)機(jī)層包含sio2層，所述si3n4層層疊于所述sio2層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中，所述有機(jī)層為固化性樹(shù)脂組合物的固化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊體，其中，所述有機(jī)層為含有有機(jī)硅化合物的固化性樹(shù)脂組合物的固化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊體，其中，所述有機(jī)硅化合物具有下述通式（1）所示的結(jié)構(gòu)，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊體，其中，在利用ft-ir從所述無(wú)機(jī)層表面測(cè)定而得的ir光譜中，在將775cm-1的峰高即si-o峰高設(shè)為p775、將2180cm-1的峰高即si-h峰高設(shè)為p2180時(shí)，p2180/p775＜0.045。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的層疊體，其中，在利用ft-ir從所述無(wú)機(jī)層表面測(cè)定而得的ir光譜中，在將775cm-1的峰高即si-o峰高設(shè)為p775、將1200cm-1的峰高即n-h峰高設(shè)為p1200時(shí)，p1200/p775＜0.300。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述有機(jī)層的厚度為10μm以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述第1元件具有第1面和第2面，所述第1面具有多個(gè)芯片，
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，在所述無(wú)機(jī)層上進(jìn)一步層疊有支撐基板。
11.一種拍攝裝置，其具有權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的層疊體。
12.一種半導(dǎo)體裝置，其具有權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的層疊體。
13.一種層疊體的制造方法，其為權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其具有：在所述第1元件上將固化性樹(shù)脂組合物成膜而形成所述有機(jī)層的工序；以及通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在所述有機(jī)層上形成具有壓縮方向的內(nèi)部應(yīng)力的所述無(wú)機(jī)層的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的層疊體的制造方法，其中，所述第1元件具有第1面和第2面，所述第1面具有多個(gè)芯片，在形成所述有機(jī)層的工序中，在所述第1面?zhèn)刃纬伤鲇袡C(jī)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的層疊體的制造方法，其具有在所述無(wú)機(jī)層上進(jìn)一步貼合支撐基板的工序。
16.一種拍攝裝置的制造方法，其具有使用通過(guò)權(quán)利要求13～15中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的層疊體來(lái)制造拍攝裝置的工序。
17.一種元件的制造方法，其具有：
18.一種拍攝裝置的制造方法，其具有：使用通過(guò)權(quán)利要求17所述的元件的制造方法得到的元件來(lái)制造拍攝裝置的工序。
19.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有：將2個(gè)通過(guò)權(quán)利要求17所述的元件的制造方法得到的元件以所述接合電極彼此接合的方式進(jìn)行貼合的工序。