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電流傳感器的制作方法

文檔序號:43008775發(fā)布日期:2025-09-15 12:28閱讀:10來源:國知局

本發(fā)明涉及電流傳感器。


背景技術(shù):

1、作為公開了電流檢測裝置的結(jié)構(gòu)的在先文獻,有日本特開2013-113631號公報(專利文獻1)。在專利文獻1公開的電流檢測裝置具備導(dǎo)電體、磁檢測元件、以及磁屏蔽體。磁檢測元件在導(dǎo)電體的附近面向?qū)щ婓w的寬度方向上的中央部進行設(shè)置。關(guān)于磁屏蔽體,具有相同尺寸的一對磁屏蔽體以從外側(cè)夾著導(dǎo)電體的寬度方向上的兩側(cè)緣那樣的狀態(tài)相對于導(dǎo)電體對稱地對置配置。

2、在先技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1:日本特開2013-113631號公報


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、在專利文獻1記載的電流檢測裝置中,通過磁屏蔽件降低來自相鄰的匯流條的磁場的影響,結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

3、本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的,其目的在于,提供一種能夠通過不使用磁屏蔽件的簡單的結(jié)構(gòu)來抑制外部磁場的影響并且測定在流過三相交流的電流的三根匯流條各自中流過的電流值的電流傳感器。

4、用于解決問題的技術(shù)方案

5、基于本發(fā)明的電流傳感器具備三根匯流條、第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件、和處理電路。三根匯流條包含流過三相交流的電流的第1匯流條、第2匯流條以及第3匯流條。第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件相對于三根匯流條空開間隔進行配置。處理電路與第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件分別電連接,對來自第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件各自的檢測信號進行處理。第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件各自的靈敏度軸彼此平行。第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件各自配置為,在第1匯流條流過電流時在第1匯流條的周圍產(chǎn)生的第1磁場相對于第1磁檢測元件、第2磁檢測元件以及第3磁檢測元件各自的靈敏度軸正交。若將流過第1匯流條的電流值設(shè)為i1,將流過第2匯流條的電流值設(shè)為i2,將流過第3匯流條的電流值設(shè)為i3,將第1磁檢測元件的輸出值設(shè)為v1,將第2磁檢測元件的輸出值設(shè)為v2,將第3磁檢測元件的輸出值設(shè)為v3,并且將由勻強外部磁場引起的輸出分量設(shè)為bex,則處理電路能夠根據(jù)v1=ai2+bi3+bex、v2=ci2+di3+bex、以及v3=ei2+fi3+bex的三元一次方程式計算分別滿足i2∝(d-f)v1+(f-b)v2+(b-d)v3、i3∝(c-e)v1+(e-a)v2+(a-c)v3、以及i1=-(i2+i3)的關(guān)系的i1、i2以及i3中的至少一者。

6、發(fā)明效果

7、根據(jù)本發(fā)明,能夠通過不使用磁屏蔽件的簡單的結(jié)構(gòu)來抑制外部磁場的影響,并且測定在流過三相交流的電流的三根匯流條各自中流過的電流值。



技術(shù)特征:

1.一種電流傳感器,具備:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器,其中,

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流傳感器,其中,

4.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項所述的電流傳感器,其中,

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流傳感器,其中,


技術(shù)總結(jié)
第1磁檢測元件(121)、第2磁檢測元件(122)以及第3磁檢測元件(123)各自配置為,在第1匯流條(111)流過電流時在第1匯流條(111)的周圍產(chǎn)生的第1磁場(B1)相對于第1磁檢測元件(121)、第2磁檢測元件(122)以及第3磁檢測元件(123)各自的靈敏度軸(121a、122a、123a)正交。若將流過第1匯流條的電流值設(shè)為I1,將流過第2匯流條的電流值設(shè)為I2,將流過第3匯流條的電流值設(shè)為I3,將第1磁檢測元件的輸出值設(shè)為V1,將第2磁檢測元件的輸出值設(shè)為V2,將第3磁檢測元件的輸出值設(shè)為V3,并且將由勻強外部磁場引起的輸出分量設(shè)為Bex,則處理電路能夠根據(jù)V1=aI2+bI3+Bex、V2=cI2+dI3+Bex、以及V3=eI2+fI3+Bex的三元一次方程式計算分別滿足I2∝(d?f)V1+(f?b)V2+(b?d)V3、I3∝(c?e)V1+(e?a)V2+(a?c)V3、以及I1=?(I2+I3)的關(guān)系的I1、I2以及I3中的至少一者。

技術(shù)研發(fā)人員:中村大佐
受保護的技術(shù)使用者:株式會社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/9/14
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