本發(fā)明涉及蝕刻環(huán)及蝕刻環(huán)的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在對半導體的晶片進行蝕刻的等離子體蝕刻裝置中，具備對成為蝕刻對象的晶片進行保持的蝕刻環(huán)（專利文獻1）。這樣的蝕刻環(huán)例如由通過cvd（chemical?vapordeposition：化學氣相沉積）形成的cvd-sic（silicon?carbide：碳化硅）形成。

2、蝕刻環(huán)為了成為預定的厚度，有時由層疊了兩層以上的多層sic的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在進行蝕刻的情況下，在蝕刻環(huán)中，與保持有晶片的端部的區(qū)域的外周側(cè)相鄰的區(qū)域，由等離子體引起的損耗量最多。其理由在于，這樣的區(qū)域的等離子體的密度最高。

3、在由層疊了多層sic的構(gòu)造構(gòu)成的蝕刻環(huán)中，若多層sic中的第一層損耗而使第二層露出，則有可能產(chǎn)生從第一層與第二層之間的界面放出雜質(zhì)等某種不良情況。其理由在于，在由多層構(gòu)成蝕刻環(huán)的情況下，例如，由于有時形成第一層的時間與形成第二層的時間之間的期間變長等理由，容易產(chǎn)生雜質(zhì)混入界面的可能性。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻

5、專利文獻

6、專利文獻1：（日本）特開2020-1947號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、在專利文獻1那樣的以往的蝕刻環(huán)中，在形成由多層sic構(gòu)成的環(huán)形部件之后，為了形成保持晶片的端部的區(qū)域，進行減小第一層的內(nèi)周側(cè)的厚度的加工。由此，在第一層中與保持晶片的端部的區(qū)域的外周側(cè)相鄰的區(qū)域，第一層的厚度比其他區(qū)域薄，因此，由于蝕刻中的第一層的損耗，第二層容易露出。

3、但是，在以往的蝕刻環(huán)中，存在對于抑制多層sic中的第一層損耗而使第二層露出的技術(shù)沒有進行考慮的問題。

4、本公開是為了解決上述技術(shù)問題而設(shè)立的，其目的在于，對于具備第一層和第二層的蝕刻環(huán)，能夠抑制第二層露出。

5、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

6、本公開一方式的蝕刻環(huán)對被蝕刻的晶片進行保持，其中，具備：第一層，其包含第一區(qū)域和與第一區(qū)域的外周側(cè)相鄰的第二區(qū)域，并且在第一區(qū)域的上方保持晶片的端部；第二層，其層疊于第一層的下方，第一層從內(nèi)周側(cè)起依次包含第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域以及第四區(qū)域，第一區(qū)域是保持晶片的端部的區(qū)域，第二區(qū)域是位于第一區(qū)域的外周側(cè)且第一層的厚度與第一區(qū)域相同的區(qū)域，第四區(qū)域是位于最外周側(cè)且第二層的厚度比第一層的厚度厚的區(qū)域，第三區(qū)域的側(cè)面部在第二區(qū)域的上表面部與第四區(qū)域的上表面部之間成直角或傾斜。

7、本公開另一方式的蝕刻環(huán)的制造方法制造對被蝕刻的晶片進行保持的蝕刻環(huán)，其中，包括如下的工序：在環(huán)形基材的周圍層疊第一層和第二層；將第一層和第二層的層疊方向上的兩端面加工成平面；使基材的內(nèi)周和外周露出；將基材去除；對第一層中保持晶片的端部一側(cè)的面進行加工。第一層和第二層在基材的周圍形成了一層之后，通過在一層的周圍形成另一層而進行層疊，第一層從內(nèi)周側(cè)起依次包含第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域以及第四區(qū)域，加工成位于保持晶片的端部的第一區(qū)域的外周側(cè)且第一層的厚度與第一區(qū)域相同的第二區(qū)域，將位于最外周側(cè)的第四區(qū)域加工成第二層的厚度比第一層的厚度厚，加工成在第二區(qū)域的上表面部與第四區(qū)域的上表面部之間傾斜的第三區(qū)域的側(cè)面部。

8、發(fā)明效果

9、根據(jù)本公開一方式的蝕刻環(huán)，第一層以第二區(qū)域中的層厚成為第二層不會因蝕刻中的損耗而露出的厚度的方式形成，因此對于具備第一層和第二層的蝕刻環(huán)，能夠抑制第二層露出。

10、根據(jù)本公開另一方式的蝕刻環(huán)的制造方法，第一層以包含保持晶片的端部的第一區(qū)域和與第一區(qū)域的外周側(cè)相鄰的第二區(qū)域的方式進行加工，第二區(qū)域中的層厚以成為第二層不會因蝕刻中的損耗而露出的厚度的方式進行加工，因此對于具備第一層和第二層的蝕刻環(huán)，能夠抑制第二層露出。

技術(shù)特征：

1.一種蝕刻環(huán)，對被蝕刻的晶片進行保持，其特征在于，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻環(huán)，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻環(huán)，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻環(huán)，其特征在于，

5.一種蝕刻環(huán)的制造方法，制造對被蝕刻的晶片進行保持的蝕刻環(huán)，其特征在于，包括如下的工序：

技術(shù)總結(jié)
對于具備第一層和第二層的蝕刻環(huán)，能夠抑制第二層露出。一種蝕刻環(huán)（1），對被蝕刻的晶片進行保持，其中，具備：第一層（11），其包括第一區(qū)域（111）和與第一區(qū)域（111）的外周側(cè)相鄰的第二區(qū)域（112），并且在第一區(qū)域（111）的上方保持晶片的端部；第二層（12），其層疊于第一層（11）的下方，第一層（11）以第二區(qū)域（112）中的層厚成為不會因蝕刻中的損耗而使第二層露出的厚度的方式形成。

技術(shù)研發(fā)人員：川本聰
受保護的技術(shù)使用者：飛羅得材料技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/9/14