功率器件的封裝方法，是為解決功率器件抗燒毀用的。

與傳統(tǒng)的功率器件的封裝方法相比，本發(fā)明的特征在于：在管殼內(nèi)充以高熱導率的流體，如硅油，并使之完全充滿;也可以在芯片表面涂敷一層高熱導率的薄膜，要求這種薄膜不僅具有抗鈉離子的電學性能，而且其熱導率要高、膨脹系數(shù)要低。因而，用本發(fā)明封裝的器件具有低熱阻、耐潮濕、抗過電應(yīng)力能力強，又可防止由于內(nèi)部引線斷裂或金屬多余物引起的瞬時短路等優(yōu)點。

實施例：采用內(nèi)充硅油的器件，經(jīng)計算機模擬實驗表明：其熱阻可降低30～100%，抗二次擊穿的能力也得到大幅度的提高。

技術(shù)特征：

功率器件的封裝方法，其特征在于，在管芯內(nèi)充以高熱導率的流體，使之完全充滿，或者也可以在芯片表面涂敷一層高熱導率的薄膜。

技術(shù)總結(jié)
功率器件的封裝方法，是為解決功率器件抗燒毀用的。與傳統(tǒng)的功率器件封裝方法相比，本發(fā)明的特征在于：在管殼內(nèi)充以高熱導率的流體，或者也可以在芯片表面涂敷高熱導率的薄膜。這種封裝方法具有熱導率高、抗電穿能力強、可防止由于內(nèi)部引線斷裂或金屬殘余物引起的瞬時短路等優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：高光渤;
受保護的技術(shù)使用者：北京工業(yè)大學;
技術(shù)研發(fā)日：1985.09.09
技術(shù)公布日：1986.02.10 發(fā)布類型：FMZL主分類號：H01L21/54分類號： H01L21/54; H01L21/56; H01L23/28; H01L23/34; 申請權(quán)利人： 北京工業(yè)大學